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氧化铝衬底上金刚石的厚膜生长及其微电子学应用研究
  • 方志军编 著
  • 出版社: 上海:上海大学出版社
  • ISBN:7810588982
  • 出版时间:2003
  • 标注页数:126页
  • 文件大小:25MB
  • 文件页数:141页
  • 主题词:上海大学-博士-学位论文-汇编-2003

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图书目录

第一章 前言1

1.1 半导体器件和电路的发展使单位体积热耗散大幅增加1

1.2 电子器件与电路的发展使工作速度不断提高3

1.3 电子器件与电路的发展对封装基板材料提出新的要求3

1.4 封装基板材料的研究现状4

1.5 金刚石膜/氧化铝陶瓷复合作封装基板7

第二章 氧化铝衬底的碳离子预注入14

2.1 离子注入的实验过程14

2.2 碳离子注入层的测试与表征16

2.3 退火处理对碳离子注入的影响28

2.4 小结34

第三章 实验过程及成核分析35

3.1 微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法35

3.2 热丝化学气相沉积(HFCVD)方法38

3.3 氧化铝上金刚石膜的成核分析43

3.4 小结57

第四章 金刚石的厚膜生长及应力分析58

4.1 金刚石膜的质量表征58

4.2 金刚石膜的应力研究61

4.3 沉积条件对金刚石薄膜应力的影响70

4.4 金刚石厚膜的工艺控制及表征78

4.5 薄膜与衬底界面应力的有限元分析79

4.6 小结85

第五章 金刚石薄膜/氧化铝复合材料性质研究87

5.1 金刚石薄膜介电系数的确定87

5.2 金刚石膜/氧化铝复合材料的介电系数测量102

5.3 复合材料介电系数的理论计算106

5.4 复合材料的介电损耗模型108

5.5 对复合材料介电性质的讨论109

5.6 复合材料的导热性质110

5.7 小结113

第六章 结论115

参考文献118

致谢126

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