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第一章 砷化镓的物理和热学性质 J.C.Brice1

1.1固态GaAs的密度1

1.2GaAs的晶格参量2

1.3GaAs的晶格参量与掺杂关系3

12.4LPEGaAs的光致发光谱 94

1.4GaAs的体弹性模量4

1.5GaAs的刚性5

1.6GaAs的屈服强度6

1.7GaAs的热膨胀系数与温度关系6

1.8GaAs的比热7

1.9GaAs的热导率8

1.10GaAs的热扩散率9

第二章 砷化镓的电阻率 DLee,B.J.Sealy10

2.1半绝缘GaAs的电阻率10

2.2离子注入GaAs的薄层电阻率13

第三章 砷化镓的载流子浓度 R.S.Bhattacharya,I.H.Goodridge18

3.1离子注入n型GaAs的载流子浓度18

3.2离子注入P型GaAs的载流子浓度20

3.3非掺杂和掺杂外延GaAs的载流子浓度23

4.1砷化镓中载流子离化率与温度的关系27

第四章 砷化镓中载流子离化率 J.P.R.David27

4.2砷化镓中载流子离化率与掺杂的关系28

4.3砷化镓中载流子离化率与电场的关系29

第五章 砷化镓中电子的迁移率、扩散和寿命 DLarncefield,A.R.Adams,B.J.Sealy,D.R.Wight,K.Duncan,EMIS小组31

5.1大块GaAs晶体中的电子迁移率31

5.2大块GaAs晶体中电子迁移率和温度的关系32

5.3LPEGaAs中的电子迁移率33

5.4VPEGaAs中的电子迁移率34

5.5VPEGaAs中电子迁移率与温度的关系35

5.6VPEGaAs中电子迁移率与掺杂的关系36

5.7MBEGaAs中的电子迁移率37

5.8MBEGaAs中电子迁移率与温度的关系38

5.9MBEGaAs中电子迁移率与掺杂的关系39

5.10经退火处理的离子注入GaAs中电子迁移率与掺杂的关系39

5.11GaAs中电子迁移率与压力的关系41

5.12GaAs中电子有效质量与压力的关系41

5.13P型GaAs的电子扩散长度和扩散系数42

5.14P型GaAs的电子寿命44

第六章 砷化镓的空穴迁移率、扩散和寿命 D.R.Wight,D.C.Look,A.R.Adams46

6.1非掺杂GaAs的空穴迁移率46

6.2掺杂和离子注入GaAs的空穴迁移率47

6.3GaAs中空穴迁移率与温度的关系48

6.4GaAs中空穴迁移率与压力的关系49

6.5GaAs中空穴的有效质量与压力的关系50

6.6n型GaAs中空穴的扩散长度和扩散系数50

15.1GaAs的表面结构 152

6.7n型GaAs中的空穴寿命52

7.1GaAs的直接带隙与温度的关系54

7.2GaAs的直接带隙与压力关系54

第七章 砷化镓的能带间隙 A.R.Adams,EMIS小组，W.Potz54

7.3GaAs中γ点空穴的光学畸变势55

7.4非晶态GaAs的光学能隙55

第八章 砷化镓的光学函数（复折射率，介电函数和吸收系数） D.E.Aspnes57

8.1本征GaAs的光学函数：概论57

8.2本征GaAs的光学函数：静电和红外介电常数58

8.3本征GaAs的光学函数：余辉区（0—60meV）59

8.5本征GaAs的光学函数：直接带隙区（1.3—1.5eV）60

8.4本征GaAs的光学函数：透明区（0.1—1.4eV）60

8.6本征GaAs的光学函数：可见到近紫外区61

8.7本征GaAs的光学函数：真空紫外区（上至155eV）62

8.8本征GaAs的光学函数表：折射率和吸收系数随能量（0—155eV）的变化63

16.4GaAs反应离子和反应离子束腐蚀的腐蚀速率 164

8.9非本征对GaAs光学函数的影响67

第九章 砷化镓的电学光学性质 D.Robbins69

9.1GaAs的电学光学系数69

9.2GaAs的Franz-Keldysh效应参数71

第十章 砷化镓的红外吸收 M.R.Brozel,I.W.Boyd73

10.1大块GaAs的红外吸收带73

10.2GaAs的双光子红外吸收系数79

第十一章 GaAs的光电导光谱 R.A.Stradling,D.C.Look81

11.1半绝缘体GaAs的红外光电导光谱81

11.2GaAs外延层中浅施主的远红外光电导光谱：概论82

11.3LPEGaAs中浅施主的远红外光电导光谱85

11.4VPEGaAs中浅施主的远红外光电导光谱85

11.5MOCVDGaAs中浅施主的远红外光电导光谱86

11.6MBEGaAs中浅施主的远红外光电导光谱87

11.7中子嬗变掺杂GaAs中浅施主的远红外光电导光谱88

第十二章 砷化镓的光致发光谱 B.Hamilton,J.D.Medland,EMIS小组90

12.1非掺杂半绝缘GaAs的光致发光谱90

12.2掺Cr半绝缘GaAs的光致发光谱92

12.3非掺杂LECp型砷化镓的光致发光谱93

12.5VPEGaAs的光致发光谱97

12.6MOCVDGaAs的光致发光谱100

12.7MBEGaAs的光致发光谱105

12.8掺Ⅱ族元素GaAs的光致发光谱109

12.9掺Ⅳ族元素GaAs的光致发光谱112

12.10掺Ⅵ族元素GaAs的光致发光谱115

第十三章 砷化镓中缺陷和缺陷的红外映象图 MR.Brozel,,A.RPeaker,J.Nicholas,H.V.Winston,S.Yosuami,W.Potz118

13.1用近红外映象图分析非掺杂半绝缘LECGaAs中的缺陷118

13.2半绝缘LECGaAs中的缺陷密度121

13.3半绝缘LECGaAs中原生缺陷的结构125

13.4熔体生长GaAs中的缺陷能级126

13.6LPEGaAs中的缺陷能级130

13.5GaAs中与阴离子反位缺陷有关的缺陷能级130

13.7VPEGaAs中的缺陷能级132

13.8MOCVDGaAs中的缺陷能级134

13.9MBEGaAs中的缺陷能级137

13.10电子辐照GaAs中的缺陷能级139

第十四章 砷化镓中的杂质扩散 B.Tuck143

14.1GaAs中Cr的扩散143

14.2GaAs中Mn的扩散144

14.3GaAs中Zn的扩散145

14.4GaAs中Si的扩散147

14.5GaAs中Sn的扩散148

146GaAs中S的扩散149

第十五章 砷化镓的表面结构和氧化 P.J.Dobson,H.L.Hartnagel152

15.2GaAs的氧化层结构154

15.3GaAs的氧化速率155

16.1GaAs的湿法腐蚀速率158

第十六章 砷化镓的腐蚀速率 C.I.H.Ashby158

16.2GaAs的等离子腐蚀速率160

16.3GaAs的离子束研磨和溅射腐蚀速率163

16.5GaAs的激光增强腐蚀的腐蚀速率170

第十七章 砷化镓的界面和接触 L.Eaves,C.R.M.Grovenor,G.P.Schwartz,H.H.Wieder,EMIS小组174

17.1GaAs/Ag界面的结构174

17.2GaAs/A1界面的结构174

17.3GaAs/Au界面的结构177

17.4GaAsAu-Ge界面的结构179

17.5GaAs/Cu界面的结构181

17.6GaAs/Ag界面的势垒高度182

17.7GaAs/A1界面的势垒高度183

17.8GaAs/Au界面的势垒高度187

17.9GaAs/Pt界面的势垒高度189

17.10GaAs/W界面的势垒高度190

17.11GaAs/介质界面的能带弯曲192

17.12在GaAs/A1GaAs异质结界面处导带和价带的相对位置192

第十八章 铝镓砷的各种性质 A.R.Peaker,D.Lee,S.Speakman,EMIS小组195

18.1A1GaAs中的缺陷能级195

18.2A1GaAs中的DX缺陷中心200

18.3A1GaAs的光致发光谱206

18.4A1GaAs的电子迁移率209

18.5LPEAlGaAs中的载流子浓度212

18.6MOCVDA1GaAs的载流子浓度213

18.7MBEAlGaAs的载流子浓度215

18.8反应离子和反应离子束对A1GaAs的腐蚀速度218

主题索引220

参考文献226