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电力半导体器件
  • 聂代祚编著 著
  • 出版社: 北京:电子工业出版社
  • ISBN:7505324594
  • 出版时间:1994
  • 标注页数:246页
  • 文件大小:14MB
  • 文件页数:254页
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图书目录

目 录1

绪论1

第一章电力半导体器件基础8

第一节半导体器件基本控制方程8

第二节电阻率与中子嬗变掺杂10

第三节大电流下的载流子输运14

第四节载流子寿命及其控制技术17

第五节热特性与封装技术27

习题33

参考文献34

第二章功率整流二极管36

第一节功率二极管的基本结构及类型36

第二节PN结二极管37

第三节PiN二极管41

第四节二极管的反向耐压特性51

第五节表面造型与保护56

习题64

参考文献65

第一节大功率晶体管种类及结构67

第三章大功率晶体管67

第二节GTR的直流特性及电流放大系数70

第三节GTR的输出特性73

第四节GTR瞬态特性75

第五节大电流效应79

第六节GTR中的漏电流84

第七节GTR的耐压特性85

习题89

参考文献90

第一节GTR模块的结构及种类92

第四章功率达林顿GTR及其模块92

第二节GTR模块的特性95

第三节GTR模块耐压特性99

第四节GTR模块的热特性100

第五节 GTR的二次击穿与安全工作区102

习题105

参考文献105

第一节概述106

第五章晶闸管工作原理106

第二节两端晶闸管工作原理110

第三节三端晶闸管工作原理113

第四节PNPN结构的触发机构117

第五节短路发射极121

习题124

参考文献124

第六章晶闸管的静态特性126

第一节晶闸管的反向特性126

第二节正向阻断特性129

第三节晶闸管的高温特性136

第四节 门极特性139

第五节通态特性146

习题153

参考文献154

第七章晶闸管的动态特性156

第一节开通特性156

第二节通态电流临界上升率164

第三节断态电压临界上升率168

第四节关断特性171

习题177

参考文献177

第八章门极可关断与双向晶闸管179

第一节门极可关断晶闸管179

第二节双向晶闸管189

习题196

参考文献197

第一节晶闸管设计的特点及原则198

第九章晶闸管的设计198

第二节晶闸管的设计方法199

第三节晶闸管设计举例206

参考文献209

第十章新型电力电子器件210

第一节静电感应晶闸管(SITh)210

第二节功率MOS场效应晶体管219

第三节绝缘栅晶体管(IGBT)232

参考文献245

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