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第1章 辐射干扰概论1

1.1 辐射EMI问题1

1.2 辐射EMI的基本知识2

1.3 EMI术语和单位3

1.4 美国和世界其他国家应对辐射EMI的措施和标准4

1.4.1 世界民用标准5

1.4.2 FCC发射标准7

1.4.3 相互认可协议（MRA:Mutual Recognition Agreement）8

1.4.4 其他美国政府标准（非军方）8

1.4.5 军方发射标准8

1.5 系统内和系统间EMI10

第2章 简单电路的电场和磁场11

2.1 环路的辐射场11

2.2 直导线的辐射场15

2.3 推广至实际真实电路17

2.4 简单电路的差模辐射22

2.5 外部线缆的共模辐射24

2.5.1 怎样估计线缆上的CM电流26

2.5.2 辐射几何结构的正确近似29

2.5.3 长线辐射37

第3章 非正弦波源的辐射场39

3.1 周期脉冲的频谱和辐射39

3.2 宽带源的频谱和辐射45

3.3 随机与周期频谱48

3.4 某些频谱的特殊性49

3.4.1 窄带随机信号50

3.4.2 重复符号增强电磁干扰（EMI）辐射52

3.4.3 展布频谱时钟（SSC）减小EMI52

3.4.4 占空比不为0.5时的偶次与奇次谐波53

第4章 设计低辐射产品的基本策略57

4.1 影响EMI控制的基本系统决策57

4.2 辐射发射减缩的设计控制区域59

4.3 辐射EMI控制的设计关键点60

4.4 常驻软件对辐射EMI的影响64

第5章 芯片和集成电路级辐射发射控制65

5.1 逻辑系列65

5.2 理想旁路电容的计算70

5.3 IC地弹反射共模的产生73

5.4 减小IC自身产生的EMI74

5.4.1 微处理器的EMI控制74

5.4.2 时钟振荡器的EMI影响75

5.4.3 IC发射测量的标准方法75

5.5 IC封装的影响77

5.6 IC级屏蔽78

5.7 芯片和IC级辐射控制小结79

第6章 印制电路板设计82

6.1 电路板分区82

6.2 导体的自感83

6.3 单层板86

6.3.1 电源分布去耦86

6.3.2 平行旁路电容的问题91

6.3.3 卡式电源输入去耦92

6.3.4 VCC和地的布线（单层板）93

6.3.5 地平面和地面积需求（单层板）93

6.3.6 走线到外壳的寄生去耦97

6.3.7 时钟线97

6.4 多层板98

6.4.1 多层堆叠98

6.4.2 多层板需要的去耦电容100

6.4.3 穿孔平面：瑞士乳酪综合征100

6.4.4 适当的槽缝103

6.4.5 高速走线的布置103

6.4.6 模拟数字混合104

6.4.7 薄箔PCB105

6.5 串扰106

6.5.1 容性串扰106

6.5.2 磁性串扰111

6.6 阻抗匹配112

6.7 卡式连接器的管脚分配114

6.7.1 串扰115

6.7.2 特性阻抗和失配117

6.7.3 连接阻抗117

6.8 OV参考接地至外壳119

6.9 用于PCB设计的EMC软件工具119

6.10 PCB级辐射控制小结120

第7章 母板和背板的发射控制122

7.1 绕线背板123

7.2 带有VCC和地平面的单层或多层母板124

7.3 串扰和阻抗匹配124

7.3.1 串扰124

7.3.2 阻抗匹配125

7.4 背板接口处的连接器区域125

7.5 连接器区域增加的辐射126

第8章 控制开关电源的辐射场128

8.1 基本辐射源128

8.2 实际电流波形影响130

8.3 封装与电路布局132

8.3.1 变压器和扼流圈的磁泄漏133

8.3.2 供电PC板136

8.3.3 次级环路136

8.3.4 机电封装136

8.4 屏蔽电源模块138

8.5 电源滤波器对辐射EMI的影响139

第9章 通过内部布线和封装减小辐射EMI144

9.1 卡-卡及背板互连144

9.2 内部同轴和屏蔽线缆146

9.3 某些隐蔽的辐射天线149

9.4 参考地和相应的环路的内部连接152

9.5 I/O连接器区域154

9.6 其他的辐射EMI源166

第10章 机箱屏蔽167

10.1 如何确定机箱衰减要求167

10.2 材料的屏蔽效能169

10.3 导电塑料的屏蔽效能173

10.4 场衰减槽形孔缝175

10.5 改变理想的“墙洞”模型180

10.5.1 源接近孔缝对泄漏的影响180

10.5.2 机箱的固有谐振效应181

10.6 减少泄漏和孔缝处理的方法183

10.6.1 接合面板和盖的接缝183

10.6.2 冷却孔缝的屏蔽186

10.6.3 部件孔洞的屏蔽192

10.6.4 线缆入口、连接器及非导电穿孔的屏蔽192

10.6.5 线缆穿孔附近的机箱泄漏的不利影响196

10.7 特殊屏蔽处理的设备机壳196

10.8 应用实例：给定SE目标值的机箱设计199

10.9 用于大批量生产的消费产品的屏蔽组件201

10.10 机箱屏蔽辐射控制小结201

第11章 控制外部线缆的辐射203

11.1 平衡接口的优点203

11.2 线路平衡器件205

11.2.1 信号隔离变压器205

11.2.2 纵向非隔离变压器206

11.3 通过加装铁氧体减小CM辐射208

11.4 采用绞合减小DM辐射212

11.5 通过屏蔽减小线缆辐射214

11.5.1 同轴电缆的辐射场216

11.5.2 屏蔽对或多芯屏蔽线缆的辐射场220

11.5.3 屏蔽扁平电缆221

11.5.4 屏蔽连接的重要性222

11.5.5 由SE目标设定Zt225

11.6 关于屏蔽与非屏蔽双绞线的讨论227

11.7 采用光纤消除电缆辐射228

第12章 主要辐射发射规范和测试方法229

12.1 MIL-STD 461-C,D和462229

12.2 CISPR国际限制标准、测试仪器和方法232

12.3 FCC第15部分的子部分B233

12.4 欧洲标准（EN）55022233

12.5 德国VDE 871233

12.6 EN 55014/CISPR 14235

12.7 日本非官方干扰控制委员会（VCCI）236

12.8 FCC第18部分236

12.9 CISPR 25：汽车电子237

12.10 RTCA/DO-160237

第13章 辐射EMI问题排故239

13.1 符合规范的线缆辐射与机箱辐射239

13.2 产品不能通过辐射发射测试时的策略：确定dB减缩量239

13.3 I/O线缆CM电流（VHF频段）的辐射RFI电平的近似246

附录A 修正的偶极子模型251

附录B 一些支持简化辐射模型的验证结果253

附录C PCB走线的电感和电容255

附录D 几个由SPICE、MicroCap或类似仿真工具建立的元件模型的等效电路258

参考文献259