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![半导体实验教程 基础部分](https://www.shukui.net/cover/42/31475565.jpg)
- 郑云光主编 著
- 出版社: 天津:天津大学出版社
- ISBN:7561801823
- 出版时间:1989
- 标注页数:155页
- 文件大小:6MB
- 文件页数:159页
- 主题词:
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图书目录
目录3
第一部分 半导体物理3
实验1-1 半导体常温霍尔效应研究3
实验1-2 双脉冲法测量半导体中少数载流子寿命9
实验1-3 光电导衰减法测量硅中少子寿命14
实验1-4 硅缺陷显示与观察18
实验1-5 四探针法测半导体材料电阻率及方块电阻22
实验1-6 椭圆偏振法测量半导体表面介质薄膜厚度和折射率32
实验1-7 p-n结电容的测量40
实验1-8 MOS结构C-V特性测量44
实验1-9 用准静态C-V法测量硅-二氧化硅界面态密度51
实验1-10 硅太阳电池的测量57
实验1-11 电解水氧化-干涉法测p-n结结深61
实验1-12 滚槽法测结深65
实验1-13 二次谐波法测量纵向杂质浓度分布69
附录73
参考文献75
实验2-1 用JT-1图示仪检测双极型晶体管79
第二部分 晶体管79
实验2-2 晶体管hFE随注入电流变化测试89
实验2-3 晶体管电流增益hFE的温度特性测试91
实验2-4 晶体管热阻测量94
实验2-5 晶体管低频H参数与反向电流测量100
实验2-6 晶体管fT随工作电流、工作电压的变化104
实验2-7 晶体管开关时间测量107
实验2-8 用JT-1图示仪检测场效应晶体管110
参考文献117
实验3-1 TTL与非门电路的模拟与测试121
第三部分 半导体集成电路121
实验3-2 TTL静态参数测试124
实验3-3 TTL与非门电路输入输出特性测试131
实验3-4 TTL与非门电路电压传输特性的测试135
实验3-5 CMOS集成电路的直流参数测试(一)138
实验3-6 CMOS集成电路的直流参数测试(二)142
实验3-7 CMOS集成电路动态参数测试146
实验3-8 集成运算放大器参数的测量148
参考文献154