图书介绍

半导体实验教程 基础部分PDF|Epub|txt|kindle电子书版本网盘下载

半导体实验教程 基础部分
  • 郑云光主编 著
  • 出版社: 天津:天津大学出版社
  • ISBN:7561801823
  • 出版时间:1989
  • 标注页数:155页
  • 文件大小:6MB
  • 文件页数:159页
  • 主题词:

PDF下载


点此进入-本书在线PDF格式电子书下载【推荐-云解压-方便快捷】直接下载PDF格式图书。移动端-PC端通用
种子下载[BT下载速度快]温馨提示:(请使用BT下载软件FDM进行下载)软件下载地址页直链下载[便捷但速度慢]  [在线试读本书]   [在线获取解压码]

下载说明

半导体实验教程 基础部分PDF格式电子书版下载

下载的文件为RAR压缩包。需要使用解压软件进行解压得到PDF格式图书。

建议使用BT下载工具Free Download Manager进行下载,简称FDM(免费,没有广告,支持多平台)。本站资源全部打包为BT种子。所以需要使用专业的BT下载软件进行下载。如BitComet qBittorrent uTorrent等BT下载工具。迅雷目前由于本站不是热门资源。不推荐使用!后期资源热门了。安装了迅雷也可以迅雷进行下载!

(文件页数 要大于 标注页数,上中下等多册电子书除外)

注意:本站所有压缩包均有解压码: 点击下载压缩包解压工具

图书目录

目录3

第一部分 半导体物理3

实验1-1 半导体常温霍尔效应研究3

实验1-2 双脉冲法测量半导体中少数载流子寿命9

实验1-3 光电导衰减法测量硅中少子寿命14

实验1-4 硅缺陷显示与观察18

实验1-5 四探针法测半导体材料电阻率及方块电阻22

实验1-6 椭圆偏振法测量半导体表面介质薄膜厚度和折射率32

实验1-7 p-n结电容的测量40

实验1-8 MOS结构C-V特性测量44

实验1-9 用准静态C-V法测量硅-二氧化硅界面态密度51

实验1-10 硅太阳电池的测量57

实验1-11 电解水氧化-干涉法测p-n结结深61

实验1-12 滚槽法测结深65

实验1-13 二次谐波法测量纵向杂质浓度分布69

附录73

参考文献75

实验2-1 用JT-1图示仪检测双极型晶体管79

第二部分 晶体管79

实验2-2 晶体管hFE随注入电流变化测试89

实验2-3 晶体管电流增益hFE的温度特性测试91

实验2-4 晶体管热阻测量94

实验2-5 晶体管低频H参数与反向电流测量100

实验2-6 晶体管fT随工作电流、工作电压的变化104

实验2-7 晶体管开关时间测量107

实验2-8 用JT-1图示仪检测场效应晶体管110

参考文献117

实验3-1 TTL与非门电路的模拟与测试121

第三部分 半导体集成电路121

实验3-2 TTL静态参数测试124

实验3-3 TTL与非门电路输入输出特性测试131

实验3-4 TTL与非门电路电压传输特性的测试135

实验3-5 CMOS集成电路的直流参数测试(一)138

实验3-6 CMOS集成电路的直流参数测试(二)142

实验3-7 CMOS集成电路动态参数测试146

实验3-8 集成运算放大器参数的测量148

参考文献154

热门推荐