图书介绍

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半导体制造与过程控制基础
  • (美)梅 著
  • 出版社: 北京:机械工业出版社
  • ISBN:9787111256656
  • 出版时间:2009
  • 标注页数:377页
  • 文件大小:90MB
  • 文件页数:390页
  • 主题词:半导体工艺

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图书目录

第1章 半导体制造引论1

目标1

引言1

1.1历史的演进1

1.1.1制造和质量控制2

1.1.2半导体过程4

1.1.3集成电路制造6

1.2现代半导体制造7

1.2.1单元过程7

1.2.2处理次序10

1.2.3信息流11

1.2.4过程组织12

1.3制造的目标13

1.3.1成本14

1.3.2质量15

1.3.3变化性15

1.3.4产出16

1.3.5可靠性16

1.4制造系统17

1.4.1连续流程18

1.4.2分立器件19

1.5本书后续部分的概述19

小结20

问题20

参考文献21

第2章 技术纵览23

目标23

引言23

2.1单元过程23

2.1.1氧化23

2.1.2照相30

2.1.3蚀刻42

2.1.4掺杂46

2.1.5沉淀52

2.1.6平面化55

2.2过程集成55

2.2.1双极型技术56

2.2.2CMOS技术59

2.2.3BiCMOS技术65

2.2.4封装67

小结71

问题71

参考文献72

第3章 过程监控73

目标73

引言73

3.1过程流程和主要度量点73

3.2圆片状态度量74

3.2.1空白薄膜75

3.2.2模式化的薄膜81

3.2.3粒子/缺陷检查86

3.2.4电气测试88

3.3设备状态测量94

3.3.1热操作95

3.3.2等离子操作97

3.3.3平板印制操作101

3.3.4注入102

3.3.5平面化103

小结104

问题104

参考文献105

第4章 统计基础107

目标107

引言107

4.1概率分布108

4.1.1离散分布108

4.1.2连续分布112

4.1.3有用的近似法115

4.2从正态分布中取样116

4.2.1卡方分布116

4.2.2t分布117

4.2.3F分布118

4.3估计119

4.3.1对已知方差取样均值的置信区间119

4.3.2对未知方差取样均值的置信区间119

4.3.3方差的置信区间120

4.3.4已知方差两个均值之间差的置信区间120

4.3.5未知方差情况下两均值之差的置信区间120

4.3.6两方差比率的置信区间121

4.4假设检验122

4.4.1已知方差的均值检验122

4.4.2未知方差的均值检验123

4.4.3方差的检验125

小结126

问题126

参考文献127

第5章 产出建模128

目标128

引言128

5.1产出组成的定义128

5.2功能性产出模型129

5.2.1泊松模型131

5.2.2Murphy产出积分132

5.2.3负二项式模型134

5.3功能性产出模型组成135

5.3.1缺陷密度135

5.3.2临界面积137

5.3.3全局产出损失137

5.4参数性产出138

5.5产出仿真140

5.5.1功能性产出仿真140

5.5.2参数性产出仿真144

5.6以设计为中心147

5.6.1可接受性区域148

5.6.2参数性产出优化149

5.7过程导入和产出时间149

小结152

问题152

参考文献155

第6章 统计过程控制156

目标156

引言156

6.1控制图表基础知识156

6.2控制图表中的模式159

6.3属性的控制图表161

6.3.1不符合分值的控制图表161

6.3.2缺陷的控制图表166

6.3.3缺陷密度的控制图表167

6.4变量的控制图表168

6.4.1x和R的控制图表170

6.4.2x和s的控制图表174

6.4.3过程能力177

6.4.4改进图表和可接受图表179

6.4.5Cusum图表180

6.4.6移动平均图表184

6.5多元控制187

6.5.1均值控制188

6.5.2变化性的控制191

6.6使用相关过程数据的SPC192

6.6.1时间序列建模192

6.6.2基于模型的SPC193

小结194

问题195

参考文献198

第7章 半导体制造的统计实验设计199

目标199

引言199

7.1分布对比199

7.2方差分析202

7.2.1平方和203

7.2.2ANOVA表204

7.2.3随机块实验209

7.2.4双向设计212

7.3因子设计217

7.3.1双水平因子设计218

7.3.2部分因子223

7.3.3因子分析225

7.3.4高级设计227

7.4田口(Taguchi)方法229

7.4.1过程变量归类230

7.4.2信噪比231

7.4.3正交阵列231

7.4.4数据分析232

小结234

问题234

参考文献236

第8章 半导体制造的过程建模237

目标237

引言237

8.1回归模型238

8.1.1单参数模型238

8.1.2双参数模型241

8.1.3多变量模型245

8.1.4非线性回归248

8.1.5回归图249

8.2响应面法250

8.2.1假设的成品率实例251

8.2.2等离子体蚀刻实例256

8.3调优261

8.4主成分分析265

8.5人工智能建模技术269

8.5.1人工神经网络269

8.5.2模糊逻辑273

8.6过程优化276

8.6.1Powe1l算法276

8.6.2单纯形法278

8.6.3遗传算法280

8.6.4混合方法282

8.6.5PECVD优化:一种情况研究283

小结284

问题284

参考文献288

第9章 半导体制造的高级过程控制289

目标289

引言289

9.1常数项适应的RbR控制290

9.1.1单变量方法291

9.1.2多变量技术297

9.1.3实际考虑300

9.2完全适应模型的多变量控制304

9.2.1借助基于模型SPC的过程扰动检测305

9.2.2完全模型适应306

9.2.3自动配方生成308

9.2.4前馈控制模型309

9.3监督控制311

9.3.1完整适应模型的监督控制311

9.3.2智能监督控制317

小结323

问题324

参考文献329

第10章 半导体制造的过程与设备的故障诊断330

目标330

引言330

10.1算法化的方法331

10.1.1Hippocrates331

10.1.2基于测量的解释器334

10.2专家系统340

10.2.1参数化解释专家系统341

10.2.2PEDX344

10.3神经网络方法346

10.3.1过程控制神经网络346

10.3.2CVD诊断中的模式识别348

10.4混合方法350

10.4.1时间序列诊断350

10.4.2混合专家系统352

小结361

问题361

参考文献362

附录363

附录A 误差函数的一些性质363

附录B 累积标准正态分布365

附录C X2分布的百分点368

附录D t分布的百分点369

附录E F分布的百分点370

附录F 用于构造变量控制表的因子376

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