图书介绍
半导体薄膜技术与物理PDF|Epub|txt|kindle电子书版本网盘下载
- 叶志镇…等编著 著
- 出版社： 杭州：浙江大学出版社
- ISBN：9787308066174
- 出版时间：2008
- 标注页数：278页
- 文件大小：52MB
- 文件页数：293页
- 主题词：半导体膜：薄膜
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图书目录
第1章 真空技术1
1.1真空的基本概念1
1.1.1真空的定义1
1.1.2真空度单位2
1.1.3真空区域划分2
1.2真空的获得3
1.3真空度测量11
1.3.1热传导真空计11
1.3.2热阴极电离真空计13
1.3.3冷阴极电离真空计16
1.4真空度对薄膜工艺的影响18
参考文献18
第2章 蒸发技术19
2.1发展历史与简介19
2.2蒸发的种类20
2.2.1电阻热蒸发20
2.2.2电子束蒸发25
2.2.3高频感应蒸发27
2.2.4激光束蒸发28
2.2.5反应蒸发29
2.3蒸发的应用实例30
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜30
2.3.2 ITO薄膜32
参考文献32
第3章 溅射技术34
3.1溅射基本原理34
3.2溅射主要参数38
3.2.1溅射阈和溅射产额38
3.2.2溅射粒子的能量和速度41
3.2.3溅射速率和淀积速率43
3.3溅射装置及工艺44
3.3.1阴极溅射44
3.3.2三极溅射和四极溅射45
3.3.3射频溅射46
3.3.4磁控溅射47
3.3.5反应溅射49
3.4离子成膜技术51
3.4.1离子镀成膜51
3.4.2离子束成膜54
3.5溅射技术的应用57
3.5.1溅射生长过程57
3.5.2溅射生长ZnO薄膜的性能59
参考文献63
第4章 化学气相沉积66
4.1概述66
4.2硅化学气相沉积67
4.2.1 CVD反应类型67
4.2.2 CVD热力学分析71
4.2.3 CVD动力学分析78
4.2.4不同硅源的外延生长81
4.2.5成核84
4.2.6掺杂86
4.2.7外延层质量89
4.2.8生长工艺91
4.3 CVD技术的种类92
4.3.1常压CVD93
4.3.2低压CVD94
4.3.3超高真空CVD96
4.4能量增强CVD技术100
4.4.1等离子增强CVD102
4.4.2光增强CVD103
4.5卤素输运法104
4.5.1氯化物法104
4.5.2氢化物法105
4.6 MOCVD技术106
4.6.1 MOCVD简介106
4.6.2 MOCVD生长GaAs110
4.6.3 MOCVD生长GaN111
4.6.4 MOCVD生长ZnO116
4.7特色CVD技术122
4.7.1选择外延CVD技术122
4.7.2原子层外延125
参考文献128
第5章 脉冲激光沉积132
5.1脉冲激光沉积概述132
5.2 PLD的基本原理134
5.2.1激光与靶的相互作用134
5.2.2烧蚀物的传输135
5.2.3烧蚀粒子在衬底上的沉积137
5.3颗粒物的抑制137
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用139
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长139
5.4.2其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长146
参考文献147
第6章 分子束外延150
6.1引言150
6.2分子束外延的原理和特点151
6.3外延生长设备152
6.4分子束外延生长硅157
6.4.1表面制备157
6.4.2外延生长159
6.4.3掺杂164
6.4.4外延膜的质量诊断169
6.5分子束外延生长Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料和结构170
6.5.1 MBE生长GaAs170
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs172
6.5.3 MBE生长GaN174
6.6分子束外延生长Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料和结构176
6.6.1 HgCdTe材料176
6.6.2 CdTe／Si的外延生长177
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长178
6.6.4 ZnSe、ZnTe178
6.6.5 ZnO薄膜178
6.7分子束外延生长其他半导体材料和结构180
6.7.1 SiC材料180
6.7.2生长小尺寸Ge／Si量子点181
6.7.3生长有机半导体薄膜182
参考文献183
第7章 液相外延189
7.1液相外延生长的原理189
7.1.1液相外延基本概况189
7.1.2硅液相外延生长的原理190
7.2液相外延生长方法和设备194
7.3液相外延生长的特点196
7.4液相外延的应用实例197
7.4.1硅材料197
7.4.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料198
7.4.3碲镉汞（Hg1-xCdx Te）材料199
7.4.4 SiC材料200
参考文献200
第8章 湿化学制备方法202
8.1溶胶一凝胶技术202
8.1.1 Sol-Gel的生长机制202
8.1.2 Sol-Gel的工艺过程204
8.1.3 Sol-Gel合成TiO2薄膜208
8.1.4 Sol-Gel的优点和缺点209
8.2喷雾热分解技术210
8.2.1喷雾热分解的种类210
8.2.2喷雾热分解的生长过程213
8.2.3喷雾热分解的应用介绍217
8.2.4喷雾热分解制备ZnO薄膜217
8.3液相电沉积技术219
8.3.1电沉积简介219
8.3.2电沉积制备类金刚石薄膜220
参考文献223
第9章 半导体超晶格和量子阱226
9.1引言226
9.2半导体超晶格、量子阱的概念和分类227
9.2.1组分超晶格228
9.2.2掺杂超晶格229
9.2.3应变超晶格230
9.2.4调制掺杂超晶格230
9.3半导体超晶格、量子阱的量子特性231
9.3.1量子约束效应231
9.3.2量子隧穿和超晶格微带效应232
9.3.3共振隧穿效应234
9.4半导体超晶格、量子阱的结构和器件应用介绍236
9.4.1 GaAs／AlxGal-xAs体系236
9.4.2 ZnSe基异质结、量子阱结构237
参考文献238
第10章 半导体器件制备技术241
10.1衬底材料的清洗241
10.2发光二极管243
10.2.1 GaN基LED243
10.2.2 ZnO基LED249
10.2.3白光LED256
10.3薄膜晶体管259
10.3.1薄膜晶体管的工作原理259
10.3.2非晶硅薄膜晶体管261
10.3.3多晶硅薄膜晶体管262
10.3.4有机薄膜晶体管263
10.3.5 ZnO薄膜晶体管264
10.4光电探测器265
10.4.1光电导探测器266
10.4.2肖特基型光电探测器267
10.4.3 p-n结型光电探测器269
10.4.4改进型光电二极管271
参考文献272