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新型阻变存储技术
  • 刘明等著 著
  • 出版社: 北京:科学出版社
  • ISBN:9787030418296
  • 出版时间:2014
  • 标注页数:284页
  • 文件大小:38MB
  • 文件页数:297页
  • 主题词:存贮器

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图书目录

第1章 绪论1

1.1 非易失性存储器发展历程1

1.2 存储器发展趋势6

1.2.1 分立电荷存储器6

1.2.2 铁电存储器7

1.2.3 磁性存储器7

1.2.4 相变存储器8

1.2.5 阻变存储器9

1.3 阻变存储器发展历程9

参考文献11

第2章 阻变材料14

2.1 无机阻变材料14

2.1.1 二元氧化物阻变材料14

2.1.2 复杂氧化物阻变材料19

2.1.3 固态电解质材料22

2.2 有机阻变材料26

2.2.1 小分子功能层材料27

2.2.2 聚合物功能层材料29

2.2.3 施主受主复合型功能层材料31

2.2.4 纳米颗粒混合体功能层材料33

2.3 纳米阻变材料37

2.3.1 阻变纳米线37

2.3.2 其他纳米阻变材料44

参考文献49

第3章 阻变存储器器件结构61

3.1 两端RRAM61

3.1.1 “三明治”结构61

3.1.2 crossbar结构63

3.1.3 via-hole结构66

3.1.4 原子开关结构68

3.1.5 平面两端结构69

3.1.6 侧边接触结构73

3.2 三端RRAM74

3.3 四端RRAM76

参考文献79

第4章 电阻转变机制82

4.1 电化学金属化机制83

4.1.1 电化学金属化理论83

4.1.2 导电细丝生长和破灭的动态过程84

4.2 化学价变化机制91

4.2.1 化学价变化机制引起的界面势垒调制92

4.2.2 化学价变化机制引起的导电细丝生长和破灭93

4.2.3 导电细丝生长和破灭的动态过程96

4.3 热化学机制97

4.3.1 熔丝与反熔丝模型98

4.3.2 焦耳热RESET模型100

4.3.3 焦耳热引起的阈值转变现象101

4.4 静电/电子机制102

4.4.1 空间电荷限制模型102

4.4.2 Frenkel-Poole发射模型104

4.4.3 SV模型105

参考文献108

第5章 阻变存储器物理模型111

5.1 阻变存储器阻变模型111

5.1.1 模型的发展状况与分类111

5.1.2 连续介质模型113

5.1.3 随机模型120

5.2 第一性原理计算127

5.2.1 单个氧空位的计算128

5.2.2 氧空位的形成能129

5.2.3 掺杂效应133

5.2.4 导电细丝的结构预测135

参考文献136

第6章 电阻转变统计研究140

6.1 电阻转变统计的渗流解析模型140

6.1.1 导电细丝形成和断裂的本质141

6.1.2 SET/RESET转变的cell几何模型141

6.1.3 SET/RESET转变动力学模型143

6.1.4 SET/RESET电压和电流统计实验145

6.2 转变速度统计解析模型及转变速度-干扰困境的快速预测151

6.2.1 RRAM中的转变速度-干扰困境问题151

6.2.2 SET速度的统计与模型151

6.2.3 恒压模式预测速度-干扰困境的方法152

6.2.4 电压扫描模式快速预测速度-干扰困境的方法153

6.2.5 电压扫描模式下的速度-干扰问题设计空间153

6.3 电阻转变过程中导电细丝演化的统计分析154

6.3.1 单极性VCM器件的RESET转变的类型与细丝演化过程155

6.3.2 RESET过程中细丝电导演化的统计分析156

6.3.3 连续电压扫描RESET转变中的电导演化的统计分析158

6.3.4 RESET转变参数的分布规律159

6.3.5 RESET统计的蒙特卡罗模拟163

6.4 电阻转变中的量子化效应166

6.4.1 VCM器件电阻转变中的量子化效应167

6.4.2 ECM器件电阻转变中的量子化效应171

参考文献174

第7章 阻变存储器性能改善179

7.1 材料优化179

7.1.1 电极材料优化179

7.1.2 阻变功能层材料优化183

7.2 RRAM器件的结构优化191

7.2.1 插层结构191

7.2.2 增强电极的局部电场195

7.2.3 器件尺寸微缩197

7.3 RRAM器件操作方法优化198

7.3.1 直流电流扫描的优化方式198

7.3.2 恒定应力预处理的优化方式201

7.3.3 栅端电压扫描的优化方式203

7.3.4 脉冲测试的优化205

参考文献207

第8章 阻变存储器集成212

8.1 有源阵列结构212

8.2 无源阵列结构222

8.2.1 无源交叉阵列中的串扰现象222

8.2.2 1D1R结构224

8.2.3 1S1R结构231

8.2.4 自整流RRAM结构234

8.3 无源交叉阵列的读写操作240

8.3.1 “写”操作240

8.3.2 “读”操作241

8.4 三维集成结构243

8.4.1 堆叠交叉阵列结构244

8.4.2 垂直交叉阵列结构245

参考文献248

第9章 阻变存储器的电路应用252

9.1 紧凑模型252

9.1.1 基于金属离子迁移动态机制的紧凑模型252

9.1.2 基于忆阻器理论的紧凑模型253

9.1.3 考虑正态分布偏差的RRAM紧凑模型255

9.2 RRAM在FPGA领域中的应用257

9.2.1 FPGA技术简介257

9.2.2 传统FPGA器件的结构258

9.2.3 基于RRAM的FPGA技术260

9.3 CMOL电路技术265

9.3.1 CMOL电路介绍265

9.3.2 CMOL电路结构265

9.3.3 CMOL FPGA结构267

9.3.4 CMOL电路的逻辑功能268

9.4 忆阻器在神经元网络中的应用270

9.4.1 忆阻器介绍270

9.4.2 忆阻器的模型与机理271

9.4.3 忆阻器在神经元网络中的应用273

参考文献276

索引280

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