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![直拉单晶硅工艺技术](https://www.shukui.net/cover/8/34900583.jpg)
- 黄有志,王丽主编 著
- 出版社: 北京:化学工业出版社
- ISBN:9787122055002
- 出版时间:2009
- 标注页数:131页
- 文件大小:30MB
- 文件页数:139页
- 主题词:半导体材料-单晶拉制-生产工艺-教材
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图书目录
绪论1
第1章 单晶硅的基本知识3
1.1 晶体和非晶体3
1.2 单晶和多晶7
1.3 空间点阵和晶胞8
1.4 晶面和晶向11
1.5 晶体的熔化和凝固15
1.6 结晶过程的宏观特征16
1.7 晶核的形成17
1.8 二维晶核的形成18
1.9 晶体的长大19
1.10 生长界面结构模型21
习题23
第2章 直拉单晶炉25
2.1 直拉单晶炉设备简介25
2.2 直拉单晶炉的结构26
2.3 机械部分27
2.4 电气部分35
2.5 直拉单晶炉的工作环境40
习题41
第3章 直拉单晶炉的热系统及热场43
3.1 热系统43
3.2 热系统的安装与对中46
3.3 热场47
3.4 温度梯度与单晶生长47
3.5 热场的调整51
习题52
第4章 晶体生长控制器54
4.1 CGC-101A型晶体生长控制器功能简介54
4.2 CGC-101A型晶体生长控制器的开关状态说明55
4.3 CGC-101A型晶体生长控制器的键盘操作说明56
4.4 CGC-101A型晶体生长控制器参数设置及定义61
4.5 CGC-101A型晶体生长控制器使用说明64
习题65
第5章 原辅材料的准备67
5.1 硅原料67
5.2 石英坩埚72
5.3 掺杂剂与母合金74
5.4 其他材料75
5.5 原辅材料的腐蚀和清洗76
5.6 腐蚀原理及安全防护77
5.7 自动硅料清洗机简介78
习题80
第6章 直拉单晶硅生长技术81
6.1 直拉单晶硅工艺流程81
6.2 拆炉及装料82
6.3 抽空及熔料86
6.4 引晶及放肩88
6.5 转肩及等径91
6.6 收尾及停炉93
6.7 拉速、温校曲线的设定95
6.8 埚升速度的计算方法97
6.9 异常情况及处理方法99
习题101
第7章 铸锭多晶硅工艺102
7.1 光伏产业简介102
7.2 铸锭多晶硅炉的结构103
7.3 铸锭多晶硅工艺流程105
7.4 铸锭多晶硅的优缺点108
习题109
第8章 掺杂技术110
8.1 杂质110
8.2 导电型号111
8.3 熔硅中的杂质效应111
8.4 杂质的分凝效应113
8.5 Keff与KO的关系117
8.6 结晶后固相中的杂质分布规律118
8.7 掺杂121
习题125
附录1 硅的物理化学性质(300K)126
附录2 硅中杂质浓度和电阻率关系127
附录3 元素周期表128
附录4 立方晶系各晶面(或晶向)间的夹角129
附录5 无尘室的分级标准130
参考文献131