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第一部分　半导体元件之特性（Semiconductor Device Characteristics）1

第一章　半导体（Semiconductors）1

1-1 荷电粒子1

1-2 电场强度与电位能2

1-3 能量之eV单位6

1-4 迁移率与导电系数7

1-5 本质半导体中之电子与电洞11

1-6 施体与受体杂质15

1-7 半导体之电荷密度17

1-8　锗与矽之电性质19

1-9 霍尔效应22

1-10　热阻器与热敏器24

1-11　扩散25

1-12　渐变半导体内之电压变化27

1-13　摘要29

参考资料30

复习题31

第二章　接面二极体特性（Junction-Diode Characteristics）33

2-1 断路P-N接面33

2-2 作为整流器用P-N接面36

2-3 伏特－安培特性曲线40

2-4 V/I特性曲线之温度关系44

2-5 二极体电阻45

2-6 空间电荷电容，或过度电容47

2-7 二极体之少数载体储存52

2-8 扩散电容56

2-9 崩溃二极体57

2-10　作为电路元件之二极体60

2 11　负载线之观念62

2-12　二极体之分段线性模型63

2-13　接面二极体之交换时间66

参考资料69

复习题69

3-1 接面电晶体72

第三章　双极性电晶体之特性（Bipolar Transistor Characteristics）72

3-2 电晶体之电流成分75

3-3 电晶体作放大器用79

3-4　电晶体构造80

3-5　共基极组态82

3-6　共射极组态86

3-7 共射极之截止电流92

3-8 共射极饱和区94

3-9 典型电晶体－接面电压值98

3-10　共射极电流增益102

3-11　操作之反模式104

3-12　电晶体之额定值104

3-13　其他电晶体特性108

3-14　电晶体转换时间108

参考资料112

复习题113

4-1 积体电路（微电子）技术117

第四章　积体电路：制造与特性（Integrated Circuits:Fabrication and Characteristics）117

4-2 基本之单石积体电路120

4-3 磊晶生长125

4-4 面罩与蚀刻126

4-5 杂质扩散128

4-6 单石电路之电晶体129

4-7　单石二极体134

4-8 金属－半导体接触137

4-9　积体电阻器139

4-10　积体电容器144

4-11　积体元件之特性145

4-12　单石电路设计图146

4-13　其他之隔离法150

参考资料151

复习题152

第二部分　数位电路与系统（Digital Circuits and Systems）155

第五章　数位电路（Digital Circuits）155

5-1 系统之数位（二进位操作）155

5-2 OR闸158

5-3 AND闸161

5-4 NOT（反相器）电路164

5-5 禁止（授权操作）168

5-6 EXCLUSIVE-OR电路169

5-7 第莫根定律172

5-8 NAND与NOR二极体电晶体逻辑（DTL）闸174

5-9 修正之（积体电路）DTL闸179

5-10　高临限逻辑（HTL）闸185

5-11　电晶体－电晶体逻辑186

5-12　输出级190

5-13　电阻电晶体逻辑（RTL）与直接耦合电晶体逻辑（DCTL）194

5-14　射极耦合逻辑199

5-15　逻辑族之比较207

参考资料211

复习题212

6-1 标准闸之组合216

第六章　组合数位系统（Combinational Digital Systems）216

6-2 二进位加法器220

6-3　算数函数228

6-4　数位比较器231

6-5 同位核对器／产生器235

6-6　解码器／解复器237

6-7 资讯选择器／复合器243

6-8 编码器247

6-9 仅读记忆（ROM）254

6-10 ROM，二维空间之位址258

6-11 ROM之应用261

参考资料266

复习题267

第七章　序向数位系统（Sequential Digital Systems）270

7-1 1数元记忆270

7-2 时序S-R正反电路274

7-3 J-K型，T型及D型正反电路276

7-4 移位置数器283

7-5 涟波（不同步）计数器291

7-6 同步计数器297

7-7 计数器之应用302

参考资料305

复习题306

第八章　场效电晶体（Field-Effect Transistors）309

8-1 接面场效电晶体310

8-2 JFET之伏特－安培特性曲线312

8-3 JFET之制造317

8-4 增强型金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET）319

8-5 空乏型MOSFET326

8-6 技术之改进327

8-7 MOSFET反相器333

8-8 MOSFET逻辑闸341

8-9 互补式MOSFETs345

参考资料351

复习题352

9-1 动态MOS移位置数器355

第九章　大型积体电路系统（Large-Scale Integration Systems）355

9-2 无比率移位置数器级360

9-3 MOS仅读记忆器364

9-4 可抹除规划程式之仅读记忆器367

9-5 方程式计划之逻辑排列（PLA）373

9-6 随机出入记忆装置（RAM）376

9-7 读／写记忆单元382

9-8 电荷耦合元件（CCD）390

9-9 CCD的构造395

9-10　CCD记忆组成402

9-11　微处理机与微计算机407

9-12　积体入射逻辑（I2L）411

9-13　入射逻辑电路417

参考资料422

复习题426

习题431

部份习题解答511