图书介绍
半导体材料 第2版PDF|Epub|txt|kindle电子书版本网盘下载
- 杨树人等编著 著
- 出版社： 北京：科学出版社
- ISBN：7030128176
- 出版时间：2004
- 标注页数：264页
- 文件大小：11MB
- 文件页数：272页
- 主题词：
PDF下载
下载说明
半导体材料 第2版PDF格式电子书版下载
下载的文件为RAR压缩包。需要使用解压软件进行解压得到PDF格式图书。建议使用BT下载工具Free Download Manager进行下载,简称FDM(免费,没有广告,支持多平台）。本站资源全部打包为BT种子。所以需要使用专业的BT下载软件进行下载。如BitComet qBittorrent uTorrent等BT下载工具。迅雷目前由于本站不是热门资源。不推荐使用！后期资源热门了。安装了迅雷也可以迅雷进行下载！
（文件页数 要大于 标注页数，上中下等多册电子书除外）
注意：本站所有压缩包均有解压码： 点击下载压缩包解压工具
图书目录
第1章 硅和锗的化学制备5
1-1硅和锗的物理化学性质5
1-2高纯硅的制备7
1-3锗的富集与提纯15
第2章 区熔提纯19
2-1分凝现象与分凝系数19
2-2区熔原理24
2-3锗的区熔提纯33
第3章 晶体生长35
3-1晶体生长理论基础35
3-2熔体的晶体生长54
3-3硅、锗单晶生长61
第4章 硅、锗晶体中的杂质和缺陷69
4-1硅、锗晶体中杂质的性质69
4-2硅、锗晶体的掺杂73
4-3硅、锗单晶的位错92
4-4硅单晶中的微缺陷98
第5章 硅外延生长102
5-1外延生长概述102
5-2硅的气相外延生长104
5-3硅外延层电阻率的控制116
5-4硅外延层的缺陷122
5-5硅的异质外延127
第6章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体133
6-1Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的特性134
6-2砷化镓单晶的生长方法140
6-3砷化镓单晶中杂质的控制147
6-4砷化镓单晶的完整性152
6-5其他Ⅲ-Ⅴ族化合物的制备155
第7章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的外延生长160
7-1气相外延生长（VPE）160
7-2金属有机物气相外延生长（MOVPE）164
7-3液相外延生长（LPE）173
7-4分子束外延生长（MBE）181
7-5化学束外延生长（CBE）186
7-6其他外延生长技术188
第8章 Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体194
8-1异质结与晶格失配195
8-2GaAlAs外延生长196
8-3InGaaN外延生长201
8-4InGaAsP外延生长202
8-5超晶格与量子阱208
8-6应变超晶格217
8-7能带工程218
第9章 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体222
9-1Ⅱ-Ⅵ族化合物单晶材料的制备222
9-2Ⅱ-Ⅵ族化合物的点缺陷与自补偿现象229
9-3Ⅱ-Ⅵ族多元化合物材料233
9-4Ⅱ-Ⅵ族超晶格材料238
第10章 氧化物半导体材料241
10-1氧化物半导体材料的制备241
10-2氧化物半导体材料的电学性质245
10-3氧化物半导体材料的应用248
第11章 其他半导体材料255
11-1窄带隙半导体255
11-2黄铜矿型半导体258
11-3纳米晶材料259
11-4非晶态半导体材料260
11-5有机半导体材料261
参考文献264