图书介绍
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- 罗晋生主编 著
- 出版社： 上海：上海科学技术出版社
- ISBN：15119·2374
- 出版时间：1984
- 标注页数：112页
- 文件大小：7MB
- 文件页数：118页
- 主题词：
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图书目录
出版说明1
前言1
第1章 离子注入装置1
§1-1 装置的结构1
目录1
§1-2 基本工作原理2
附录1-1 离子注入用主要气体源性质8
附录1-2 几种天然元素及离子源工作物质的性质10
§2-1 射程、投影射程及标准偏差11
§2-2 入射离子在固体中的减速过程11
第2章 注入离子的射程分布11
§2-3 非晶靶的射程分布理论19
§2-4 沟道运动及单晶靶中射程分布28
§2-5 射程分布理论的应用34
附录2-1 两粒子碰撞的散射角37
附录2-2 Si靶中各种离子的Rp、ΔRp及Δx值40
附录2-3 GaAs靶中各种离子的Rp、ΔRp及Δx值41
附录2-4 SiO2靶中各种离子的Rp、ΔRp及Δx值41
第3章 离子注入的损伤和退火效应43
§3-1 离子注入引起的损伤43
§3-2 离子注入损伤的分布48
§3-3 热退火效应51
§3-4 其他退火方式55
§3-5 增强扩散60
§3-6 反冲注入62
第4章 化合物半导体中的离子注入64
§4-1 注入损伤及其退火特性64
§4-2 半绝缘GaAs中的离子注入71
§4-3 GaAs中的质子注入和O+注入73
§4-4 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体中的离子注入75
第5章 测量技术77
§5-1 背散射测量77
§5-2 放射性活化分析82
§5-3 微分薄层电阻率法85
§5-4 霍耳效应测量法87
§5-5 电容-电压法88
§5-6 椭偏光测量法91
第6章 离子注入技术在器件中的应用94
§6-1 离子注入技术特点94
§6-2 在MOS器件中的应用95
§6-3 在双极器件中的应用102
§6-4 在其他硅器件中的应用107
§6-4 在化合物半导体器件中的应用108
§6-6 在其他工艺上的应用110