图书介绍
MOS集成电路工艺与制造技术PDF|Epub|txt|kindle电子书版本网盘下载
- 潘桂忠编著 著
- 出版社： 上海：上海科学技术出版社
- ISBN：9787547809808
- 出版时间：2012
- 标注页数：489页
- 文件大小：176MB
- 文件页数：501页
- 主题词：MOS集成电路－集成电路工艺
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图书目录
第1章 硅衬底与清洗1
1.1硅晶圆1
1.2 P型硅衬底5
1.3 N型硅衬底7
1.4 Pepi/P或Pepi/P+型硅衬底10
1.5 Nepi/P或Nepi/N+型硅衬底13
1.6硅片激光编号16
1.7硅片清洗分类及其步骤18
1.8硅片各种清洗液及其清洗20
第2章 热氧化27
2.1硅表面热氧化27
2.2初始氧化（Init-Ox）30
2.3基底氧化（Pad-Ox）33
2.4预氧化（Pre-Ox）36
2.5场区氧化（F-Ox）39
2.6预栅氧化（Pre-Gox）43
2.7栅氧化（G-Ox）46
2.8 Poly氧化（Poly-Ox）50
2.9硅化物氧化53
2.10源漏区氧化（S/D-Ox ）55
第3章 热扩散59
3.1杂质热扩散59
3.2硼的固态源（BN）扩散62
3.3硼的液态源[B （CH3O） 3]扩散66
3.4硼的气态源扩散70
3.5磷、砷、锑的固态源扩散71
3.6磷的液态源扩散72
3.7磷、砷的气态源扩散77
3.8 Poly的液态源磷掺杂77
第4章 离子注入及其退火81
4.1离子注入掺杂81
4.2埋层BLN+区锑离子注入与推进85
4.3埋层BLP+区硼离子注入与推进89
4.4 P-Well或深P-区硼离子注入与推进93
4.5 N-Well或深N-区磷离子注入与推进97
4.6双阱（Twin-Well）的硼/磷离子注入与推进101
4.7 P场区硼离子注入105
4.8 N场区砷或磷离子注入108
4.9基区（Pb）硼离子注入与推进110
4.10基区（Nb ）磷离子注入与推进114
4.11 P沟道区离子注入与退火117
4.12 N沟道区离子注入与退火121
4.13 Poly的磷或砷离子注入与退火124
4.14 NLDD区磷或砷离子注入128
4.15 PLDD区硼离子注入132
4.16 Halo区注入134
4.17 N+区磷或砷离子注入137
4.18 P+区硼或二氟化硼离子注入与退火140
4.19快速热处理144
第5章 硅外延147
5.1硅外延生长147
5.2 P+衬底生长P型外延层149
5.3 N+衬底生长N型外延层153
5.4 P衬底生长P型外延层156
5.5 P型衬底生长N型外延层159
第6章 化学气相淀积163
6.1 CVD技术及其类型163
6.2 LPCVD淀积Si3N4薄膜165
6.3 LPCVD淀积Poly薄膜168
6.4 LPCVD淀积LTO薄膜170
6.5 LPCVD淀积TEOS薄膜173
6.6 APCVD淀积PSG薄膜176
6.7 APCVD淀积BPSG/LTO（或BPSG）薄膜179
6.8 TEOS、PSG、BPSG/LTO、LTO致密（或增密）182
6.9 BPSG/LTO流动/注入退火185
6.10 HDPCVD淀积SiO2薄膜188
第7章 光刻192
7.1微细加工技术192
7.2硅衬底表面处理195
7.3涂负性光刻胶196
7.4涂正性光刻胶198
7.5对准与曝光201
7.6显影/坚膜203
第8章 腐蚀和刻蚀208
8.1选择性腐蚀和刻蚀208
8.2坚膜（或固胶）210
8.3去底膜212
8.4无胶SiO2膜漂蚀214
8.5腐蚀SiO2膜（有胶）217
8.6硅衬底正面三层或四层腐蚀220
8.7硅衬底背面四层腐蚀224
8.8 PSG/SiO2或PSG腐蚀227
8.9 BPSG/LTO/SiO2或BPSG腐蚀230
8.10 TEOS/SiO2或TEOS腐蚀233
8.11铝膜腐蚀235
8.12 LTO/PSG钝化膜腐蚀238
8.13 Si3N4刻蚀241
8.14 Poly或硅化物（WSi2， TiSi2）/Poly刻蚀245
8.15 Si衬底沟槽刻蚀249
8.16 SiO2刻蚀252
8.17 TEOS或Si3N4侧墙刻蚀255
8.18金属膜刻蚀258
8.19 PECVDSi3N4/PSG钝化膜刻蚀262
8.20去胶264
第9章 金属化267
9.1金属互连267
9.2铝及其合金薄膜269
9.3铝加热合金272
9.4阻挡层金属275
9.5硅化物形成278
9.6钨（W）282
9.7铜互连285
9.8平坦化及其光刻胶反向刻蚀289
9.9 SOG反向刻蚀平坦化292
9.10化学机械抛光（CMP）295
9.11铝多层金属化298
9.12铜多层金属化302
9.13硅衬底背面蒸发金膜306
第10章 表面钝化309
10.1钝化技术309
10.2 PECVD SiO2钝化膜淀积311
10.3 PECVD PSG钝化膜淀积314
10.4 PECVD Si3N4钝化膜淀积316
10.5 PECVD SiO2/PSG钝化膜淀积319
10.6 PECVD Si3N4/PSG钝化膜淀积321
10.7硅衬底背面减薄324
第11章CMOs工艺集成327
11.1集成电路中的隔离技术327
11.2集成电路的工艺集成328
11.3铝栅P-Well CMOS（薄场）330
11.4铝栅P-Well CMOS（厚场）334
11.5 P-Well CMOS337
11.6 N-Well CMOS346
11.7 Twin-Well CMOS350
11.8逆向Twin-Well CMOS355
11.9 LV/HV兼容P-Well CMOS360
11.10 LV/HV兼容N-Well CMOS（A）369
11.11 LV/HV兼容N-Well CMOS（B）374
11.12 LV/HV兼容 Twin-Well CMOS380
第12章BiCMOS工艺集成387
12.1 P-Well BiCMOS[C]387
12.2 P-Well BiCMOS[B]391
12.3 N-Well BiCMOS[B]398
12.4 Twin-Well BiCMOS[B]407
12.5 LV/HV兼容P-Well BiCMOS[C]413
12.6 LV/HV兼容P-Well BiCMOS[B]417
12.7LV/HV兼容N-Well BiCMOS[B]424
12.8 LV/HV兼容Twin-Well BiCMOS[B]430
第13章BCD工艺集成442
13.1 LV/HV兼容P-Well BCD[C]442
13.2 LV/HV兼容N-Well BCD[C]446
13.3 LV/HV兼容P-Well BCD[B]-（A）451
13.4 LV/HV兼容P-Well BCD[B]-（B）462
13.5 LV/HV兼容Twin-Well BCD[B]468
附录1工艺规范目录表475
附录2术语缩写对照478
附录3简要叙述482
附录4 P-Well BiCMOS[B]工艺制程483
参考文献489