图书介绍
硅晶体制备及外延 译文集PDF|Epub|txt|kindle电子书版本网盘下载
- 中国科学技术情报研究所编辑 著
- 出版社： 北京：科学技术文献出版社
- ISBN：15176·27
- 出版时间：1974
- 标注页数：70页
- 文件大小：26MB
- 文件页数：74页
- 主题词：
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图书目录
目录1
1．初始硅的质量1
2．用电子束加热的基座技术生长直径40毫米硅晶体8
3．在集成电路加工中切克劳斯基和悬浮区熔硅的表面和体内的变化13
4．硅外延生长18
5．在氮中外延淀积硅24
6．在800—1150℃温度范围内从SiH4外延生长硅28
7．外延硅层的高速化学蒸汽淀积32
8．用热处理消除硅外延层中的堆垛层错37
9．计算机控制外延生产系统43
10．单晶氧化物衬底49
11．结合两种生长方法在绝缘衬底上外延淀积硅膜55
12．硅中的缺陷——它们的来源以及对硅平面器件性能的影响58
13．半导体硅痕量分析方法的比较62
14．切克劳斯基硅晶体中氧和碳的含量68