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目录1

序论1

第一章　陶瓷在超高频电子器件中的应用3

1-1　陶瓷和玻璃性能的比较3

1-2　陶瓷在中小功率三极管中的应用6

1-3　陶瓷在小功率行波管和速调管中的应用17

1-4　陶瓷在中、大功率器件中的应用25

1-5　陶瓷在功率器件输出装置中的应用30

1-6　陶瓷在气体放电器件中的应用41

第二章　陶瓷的技术性能46

2-1　一般要求46

2-2　化学-矿物组成和结构49

2-3　真空性能50

2-4　机械性能58

2-5　热性能68

2-6 电性能72

2-7　二次电子发射80

2-8　抗辐射性81

3-1　氧化铝陶瓷86

第三章　真空-致密陶瓷工艺86

3-2　氧化铝制备88

3-3　矿化剂的制备94

3-4　配合料的制备100

3-5　零件的成型106

3-6　陶瓷的固相烧结113

3-7　陶瓷的液相烧结126

3-8　制件的焙烧141

3-9　陶瓷的研磨144

3-10　氧化铍瓷151

3-11　硅酸镁陶瓷154

第四章　结构金属与焊料164

4-1　总的要求164

4-2　铜与镍165

4-3　钼与钨171

4-4　钛与锆174

4-5　钽与铌178

4-6　铁基合金180

4-7　与高氧化铝瓷匹配封接用的合金184

4-8　钼-铼与钨-铼合金188

4-9　铜镍合金191

4-10　焊料193

第五章　陶瓷-金属封接件的设计203

5-1　陶瓷-金属封接件中的机械应力203

5-2　端面封接的应力计算206

5-3　端封件中应力的测量217

5-4　对端封设计的建议221

5-5　套封的应力计算226

5-6　套封中应力的实验测量，设计建议234

5-7　陶瓷-金属封接件结构245

第六章　陶瓷金属化与封接时的物理-化学过程252

6-1　金属化层组分和气体介质的相互作用259

6-2　金属化层的组分与氧化铝的相互作用259

6-3　金属化层与陶瓷玻璃相的相互作用267

6-4　金属化层的烧结过程275

6-5　金属化层与陶瓷形成牢固联结的过程279

6-6　金属化层的组成与结构287

6-7　焊料与金属化层及结构金属的相互作用289

第七章　陶瓷金属化及封接工艺299

7-1　陶瓷的金属化工艺、金属化层的组成299

7-2　金属化膏剂制备303

7-3　陶瓷零件上金属化层的涂敷305

7-4　金属化层的烧结315

7-5　二次金属化层的涂敷、零件的超声波清洗317

7-6　陶瓷-金属封接件的装架和封接321

7-7　用电介质焊料的封接325

第八章　陶瓷用活性金属封接329

8-1　活性封接机理329

8-2　工艺因素对封接性能的影响338

8-3　陶瓷-金属部件的封接344

8-4　工艺设备350

第九章　热压封接和陶瓷的压力封接355

9-1　热压封接的基本过程355

9-2　热压封接的工艺规范365

9-3　陶瓷-金属封接件的装配与封接369

9-4　压力封接373

9-5　工艺设备376

第十章　陶瓷-金属封接件的检验方法和技术特性379

10-1　部件的检验379

10-2　技术性能385

文献目录388