图书介绍
半导体物理PDF|Epub|txt|kindle电子书版本网盘下载
- 吴士忠编 著
- 出版社： 南京：江苏科学技术出版社
- ISBN：13196·226
- 出版时间：1986
- 标注页数：253页
- 文件大小：14MB
- 文件页数：262页
- 主题词：
PDF下载
下载说明
半导体物理PDF格式电子书版下载
下载的文件为RAR压缩包。需要使用解压软件进行解压得到PDF格式图书。建议使用BT下载工具Free Download Manager进行下载,简称FDM(免费,没有广告,支持多平台）。本站资源全部打包为BT种子。所以需要使用专业的BT下载软件进行下载。如BitComet qBittorrent uTorrent等BT下载工具。迅雷目前由于本站不是热门资源。不推荐使用！后期资源热门了。安装了迅雷也可以迅雷进行下载！
（文件页数 要大于 标注页数，上中下等多册电子书除外）
注意：本站所有压缩包均有解压码： 点击下载压缩包解压工具
图书目录
第一章 电子的微观特性及其运动规律1
1-1原子的结构1
1-2电子运动的轨道理论4
1-3原子的壳层结构15
1-4波粒二象性18
1-5定态薛定谔方程29
本章小结33
复习思考题34
第二章 晶体的结构与能带36
2-1晶体的结合和结构36
2-2锗、硅、砷化镓的晶体结构48
2-3半导体晶体中的缺陷51
2-4电子的共有化运动和能带58
2-5晶体中电子的运动 有效质量63
本章小结68
复习思考题69
第三章 掺杂半导体70
3-1本征半导体的特性70
3-2半导体掺杂76
3-3n型半导体和p型半导体79
3-4掺杂半导体在室温上下的载流子浓度83
3-5掺杂半导体的本征情况85
3-6深能级杂质和缺陷能级87
本章小结89
复习思考题90
第四章 半导体中载流子的统计分布91
4-1统计的规律性91
4-2导带电子与价带空穴统计分布的一般表达式101
4-3本征情况下的费米能级和载流子浓度106
4-4杂质半导体的费米能级和载流子浓度108
4-5简并半导体费米能级的位置和载流子浓度113
4-6费米能级的物理意义118
本章小结120
复习思考题121
第五章 半导体中载流子的迁移现象123
5-1金属自由电子论123
5-2半导体中载流子的运动方式127
5-3半导体的电导率和散射129
5-4电子和空穴的迁移率134
5-5电阻率同杂质浓度和材料温度的关系137
5-6半导体的霍耳效应139
本章小结142
复习思考题143
第六章 非平衡载流子145
6-1非平衡载流子及其产生145
6-2非平衡载流子的复合与寿命146
6-3准平衡态与准费米能级156
6-4非平衡载流子的运动158
本章小结166
复习思考题167
第七章 p-n结168
7-1 p-n结的形成及杂质分布168
7-2平衡p-n结171
7-3 p-n结的伏安特性175
7-4 p-n结的电容效应184
7-5 p-n结的击穿特性189
本章小结196
复习思考题197
第八章 金属与半导体接触200
8-1金属-半导体接触200
8-2金属-半导体接触的整流特性202
8-3欧姆接触206
本章小结208
复习思考题208
第九章 半导体表面209
9-1表面空间电荷区209
9-2理想MIS电容器的C-V特性212
9-3硅-二氧化硅系统的性质219
9-4实际MIS电容器的C-V特性及应用223
9-5半导体场效应应用举例——MOS场效应晶体管229
9-6表面电导率及迁移率230
本章小结231
复习思考题232
第十章 半导体的光磁热电性质233
10-1半导体的光学性质233
10-2半导体的热电性质241
10-3半导体磁电效应244
本章小结250
复习思考题250
附录252
一、常用的物理常数252
二、锗、硅和砷化镓材料的物理性质252