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无线电电子设备元件的试验方法
  • (苏)涅克拉索夫(Нехрасов,М.М.)著;傅家桢等译 著
  • 出版社: 北京:电子工业出版社
  • ISBN:15290·344
  • 出版时间:1987
  • 标注页数:292页
  • 文件大小:11MB
  • 文件页数:301页
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图书目录

目录1

第一章 电子技术产品可靠性的基本概念和确定原则1

§1.1 产品的可靠性和变化过程1

§1.2 可靠性信息指标的分类3

§1.3 元件可靠性的预测11

§1.4 可靠性和互补性原理15

§1.5 负荷作用因素与产品强度间的关系16

§1.6 元件和系统不均匀性系数的确定19

§2.1 损坏的基本类型27

第二章 材料和元件的老化与损坏27

§2.2 材料的击穿30

§2.3 电迁移过程在破坏器件特性稳定性方面的作用39

§2.4 有机材料的变质46

§2.5 薄膜电阻元件损坏的规律性50

§2.6 材料表面的破坏56

§2.7 半导体的表面破坏和体破坏的特点61

§2.8 疲劳现象在半导体器件损坏中的作用66

§2.9 金属-介质-半导体复合结构的损坏机理69

§2.10 材料机械破坏的规律性74

§3.1 膜式电阻器的失效类型80

第三章 电子技术产品中无源元件80

可靠性的预测方法和试验80

§3.2 查明潜在不稳定的膜式电阻器的方法84

§3.3 局部缺陷对非线绕电阻器质量的影响88

§3.4 电容器结构对其可靠性的影响93

§3.5 管形陶瓷电容器可靠性的估计99

§3.6 薄膜电容器可靠性的预测103

§3.7 用非破坏性方法确定薄膜电容器113

的使用寿命和可靠性113

的影响及其计算117

§3.8 工作状态对薄膜电容器使用寿命117

§3.9 电感质量的估计120

第四章 半导体器件和电真空器件128

的失效物理与可靠性试验128

§4.1 电子技术产品的整体诊断与可靠性预测128

§4.2 半导体二极管的质量检查和可靠性信息参数135

§4.3 半导体二极管可靠性非破坏性检查的有效方法140

§4.4 晶体管的失效机理及其可靠性的信息参数144

§4.5 双极晶体管失效的特点152

§4.6 利用m参数检查晶体管的质量156

§4.7 锗功率晶体管制造过程中产生161

的缺陷的非破坏性检测法161

§4.8 电真空器件可靠性的预测162

§4.9 测定直热式阴极不均匀性的方法173

§4.10 炽热灯丝的可靠性预测177

§4.11 电致发光器件可靠性的预测181

第五章 微电路可靠性的预测195

§5.1 微电路失效的类型195

§5.2 集成电路失效的特点198

§5.3 集成电路有源元件的失效机理200

§5.4 金属化对集成电路失效的影响204

§5.5 集成电路元件的参数失效206

§5.6 金属化短路对集成电路失效的影响215

§5.7 微电路管壳质量的估价218

§5.8 金属化宽度对集成电路使用寿命的影响220

§5.9 集成电路的试验221

第六章 电子技术产品的非破坏性检查手段224

§6.1 电绝缘结构和绝缘体通过吸收系数和224

不均匀性系数的测定而进行的试验224

§6.2 用外激电子发射法研究固体的表面230

§6.3 电阻器低频噪声的频谱密度测量仪232

§6.4 研究半导体表面解吸作用的受激接触电位差法234

§6.5 晶体管通过噪声测定法进行的试验236

§6.6 晶体管利用热阻测定法进行的试验238

§6.7 根据对象的红外辐射测定结果评估其可靠性241

§6.8 半导体器件m参数的测量247

§6.9 通过α=f(Ⅰэ)关系的示波法252

来评定p-n结的表面状态252

§6.10 利用扫描电子显微镜研究集成电路的元件252

气密性检查方法和仪器259

§6.11 半导体器件和集成电路的管壳259

第七章 提高无线电电子设备元件和组件可靠性的方法266

§7.1 保障可靠性的基本原则266

§7.2 保障电阻器可靠性的方法268

§7.3 陶瓷电容器的参数稳定化270

§7.4 高压变压器电感组件可靠性的控制和保障271

§7.5 保障晶体管可靠性的有效方法273

§7.6 采用集成电路以提高无线电电子设备的可靠性275

§7.7 采用多级金属化以保障集成电路的可靠性279

参考文献287

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