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MOS集成电路
  • 吴雪方编著 著
  • 出版社： 北京：北京理工大学出版社
  • ISBN：7810139274
  • 出版时间：1994
  • 标注页数：199页
  • 文件大小：9MB
  • 文件页数：207页
  • 主题词：

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图书目录

目录1

第一章　MOS晶体管原理与特性1

§1.1　MOS晶体管一般介绍1

一、MOS场效应晶体管的结构及工作原理1

二、MOS晶体管的四种类型3

三、MOS场效应晶体管的特点4

§1.2　MOS晶体管的物理基础5

一、理想MOS系统在外场作用下的硅表面5

二、表面势及空间电荷区的电荷7

三、MOS电容8

四、实际MOS系统的硅表面10

五、MOS器件的阈值电压12

§1.3　MOS晶体管的输出特性15

一、MOS晶体管输出特性的定性讨论15

二、MOS晶体管电流-电压特性方程17

§1.4　MOS晶体管的主要参数21

一、直流参数21

二、低频小信号参数24

三、MOS晶体管的最高频率26

§1.5　MOS晶体管的温度特性28

一、导电因子随温度的变化28

二、阈电压随温度的变化29

§1.6　MOS晶体管图形设计举例30

复习思考与习题31

§2.1 电阻负载MOS倒相器34

一、工作原理34

第二章　MOS倒相器和门电路34

二、负载线与工作点35

三、不同负载对倒相器性能的影响35

§2.2　E/E MOS倒相器36

一、工作原理36

二、静态特性分析38

三、瞬态响应44

四、MOS倒相器设计举例51

一、工作原理53

§2.3　E/D MOS倒相器53

二、静态分析54

三、瞬态响应58

§2.4　CMOS倒相器59

一、CMOS倒相器原理59

二、直流传输特性和噪声容限60

三、瞬态响应64

四、功耗讨论68

§2.5　动态MOS倒相器69

一、栅电容存贮效应70

二、动态MOS基本电路70

§2.6　MOS门电路与传输门74

一、单沟道MOS门电路74

二、CMOS门电路80

三、MOS传输门84

复习思考与习题86

一、R-S触发器90

§3.1　MOS触发器90

第三章　触发器和其它逻辑部件90

二、J-K触发器94

三、D触发器96

§3.2　MOS移位寄存器99

一、静态移位寄存器99

二、动态移位寄存器100

§3.3　MOS加法器103

一、MOS半加器103

二、MOS全加器103

§3.4　MOS译码器105

一、三变量译码器105

二、CMOS七段显示译码器107

复习思考与习题………………………………………………………………………………………………（11O）第四章　MOS存贮器§4.1　存贮器的基本概念111

§4.2　随机存取存贮器（RAM）111

一、静态MOS存贮单元112

二、动态MOS存贮单元113

§4.3 只读存贮器（ROM）119

一、MOS掩膜编制程序ROM120

二、可编程序只读存贮器121

复习思考与习题127

第五章　MOS模拟集成电路基础128

§5.1　饱和MOS晶体管的小信号模型128

一、饱和MOS晶体管的电流公式128

二、饱和MOS晶体管的小信号等效电路128

一、增强型负载共源放大器129

§5.2　有源负载单级放大器129

二、CMOS放大器131

三、源极跟随器132

§5.3　电流源及偏置电路133

一、MOS晶体管电流源133

二、改进型MOS电流源133

三、比例电流源134

四、实际偏置电路举例134

一、差分放大器的电压增益135

§5.4　差分放大器135

二、源极耦合对的转移特性136

§5.5　CMOS运算放大器137

一、基本的CMOS运算放大器137

二、CMOS运算放大器的输出级138

三、CMOS运算放大器典型电路分析140

§5.6　CMOS电压比较器和定时电路简介142

一、CMOS电压比较器142

二、CMOS定时器143

复习思考与习题145

第六章　MOS集成电路设计与布图147

§6.1　MOS集成电路器件设计147

一、设计的一般考虑147

二、E/E MOS集成电路的器件设计147

三、CMOS集成电路器件设计151

§6.2　MOS电路工艺设计153

一、CMOS阈值电压设计153

二、工艺参数设计154

§6.3　版图设计概要155

一、E/E MOS版图设计规则156

二、CMOS电路版图设计概要161

§6.4　超大规模集成电路设计的基本原理简介166

一、概述166

二、按比例缩小设计原理166

复习思考与习题168

第七章　MOS工艺169

§7.1　MOS常规工艺169

一、PMOS工艺169

二、NMOS工艺170

三、CMOS工艺172

§7.2　硅栅工艺174

一、主要优点174

二、P沟道硅栅工艺176

三、等平面硅栅N沟MOS工艺177

§7.3　离子注入技术在MOS工艺中的应用180

一、离子注入法调整MOS器件的VT181

二、离子注入实现栅自对准182

三、离子注入法制造CMOS电路183

§7.4　双层栅工艺184

一、MNOS工艺184

二、MAOS工艺185

§7.5　E/D MOS工艺及VMOS工艺186

一、E/DMOS工艺186

二、VMOS工艺188

§7.6　MOS与双极兼容工艺190

一、PMOS与双极兼容工艺190

二、CMOS与双极兼容工艺192

§7.7 生产中电路参数的监测方法192

复习思考与习题194

附录Ⅰ 国产CMOS电路系列和品种195

附录Ⅱ 国外CMOS电路主要生产公司和产品型号前缀198

参考书目199

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