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场效应晶体管及其集成电路
  • 江丕桓等编 著
  • 出版社: 北京:国防工业出版社
  • ISBN:15034·1377
  • 出版时间:1974
  • 标注页数:299页
  • 文件大小:8MB
  • 文件页数:298页
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图书目录

目录5

绪言5

第一章 结型场效应晶体管7

1-1 结型场效应晶体管的一般介绍7

1-2 结型场效应晶体管的特性14

1-3 结型场效应晶体管的制造工艺20

1-4 结型场效应晶体管的电参数26

1-5 参数和结构的关系33

1-6 结型场效应晶体管的噪声性能46

1-7 结型场效应晶体管的测试56

1-8 结型场效应晶体管的应用71

第二章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管88

2-1 MOS晶体管的一般介绍88

2-2 反型层的形成和开启电压95

2-3 MOS晶体管的特性曲线104

2-4 MOS晶体管的制造工艺和图形设计111

2-5 MOS晶体管的参数121

2-6 氧化膜中的正电荷与管子的稳定性问题137

2-7 衬底电压对晶体管特性的影响142

2-8 MOS晶体管的测试和应用147

第三章 金属-氧化物-半导体集成电路154

3-1 p型沟道MOS集成电路的一般介绍155

3-2 数字电路的基本组成部分——反相器159

3-3 逻辑门电路179

3-4 触发器电路191

3-5 动态逻辑电路218

3-6 MOS集成电路的输出级和输入级241

3-7 MOS大规模集成电路252

3-8 n型沟道MOS集成电路261

3-9 互补型MOS集成电路265

3-10 MOS集成电路的新工艺276

3-11 MOS集成电路的测试287

附录一 常用数值293

附录二 硅材料电阻率与杂质浓度的关系曲线294

附录三 逻辑代数基本常识295

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