图书介绍
碳化硅宽带隙半导体技术PDF|Epub|txt|kindle电子书版本网盘下载
- 郝跃等编著 著
- 出版社： 北京：科学出版社
- ISBN：7030082435
- 出版时间：2000
- 标注页数：288页
- 文件大小：13MB
- 文件页数：300页
- 主题词：
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图书目录
第一章 SiC半导体材料及其性质1
1．1 应用潜力巨大的极端电子学材料1
1．2 SiC的基本性质6
1．3 SiC多型的结构14
1．4 电子有效质量各向异性对霍尔因子的影响19
1．5 4H-SiC中电子的有效质量24
1．6 SiC多型的基态性质27
参考文献29
第二章 SiC单晶体的生长31
2．1 AchesOn法和Lely法31
2．2 可控的同质多型现象及同质多型的选择性41
2．3 SiC单晶的质量评价与缺陷49
参考文献70
第三章 SiC薄膜的生长及其机理72
3．1 SiC-Si的异质外延生长72
3．2 SiC-Si异质外延生长的模拟与实验75
3．3 CVD法生长SiC的热动力学相图85
3．4 SiC的同质外延生长103
3．5 6H-SiC分步外延的生长机理107
3．6 蓝宝石复合衬底上的异质外延115
3．7 各种衬底上SiC外延薄膜的比较130
3．8 薄膜缺陷135
参考文献140
第四章 品质因数与宽带隙半导体的应用143
4．1 半导体器件的物理极限与品质因数144
4．2 用于电力器件的6H-SiC、3C-SiC和Si的比较153
4．3 4H-SiC、GaAs和Si的射频MESFET功率器件的比较167
4．4 金刚石及SiC在微波及毫米波功率器件中的应用171
4．5 SiC光电器件与传感器183
4．6 SiC紫外线光电二极管190
参考文献196
第五章 SiC器件工艺199
5．1 局部外延200
5．2 氧化/钝化202
5．3 刻蚀217
5．4 掺杂228
5．5 互连、接触与隔离233
参考文献249
第六章 GaN基Ⅲ-V族氮化物宽带隙半导体251
6．1 Ⅲ-V氮化物的基本性质和结构的多型性251
6．2 氮化物晶体薄膜的生长252
6．3 氮化物器件工艺技术257
6．4 氮化物合金的性质260
6．5 Ⅲ-V氮化物的作用262
6．6 碳化硅-氮化铝结构266
参考文献267
附录 碳化硅的主要数据269